IRF7739L1TRPBF厂家价格_数据手册

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	IRF7739L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+200：￥71.892271 +500：￥39.940164	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），270A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF7739L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.355337 +10：￥29.230447 +30：￥26.181739 +100：￥23.100249 +500：￥21.679704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），270A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF7739L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.225894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），270A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF7739L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥43.122226 +200：￥41.068368 +1000：￥40.246338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），270A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7739L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥14.140825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），270A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7739L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥34.592204	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），270A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF7739L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.586436 +10：￥51.46461 +100：￥38.272597 +500：￥34.592051	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric L8 供应商器件封装： DIRECTFET L8
IRF7739L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.586436 +10：￥51.46461 +100：￥38.272597 +500：￥34.592051	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric L8 供应商器件封装： DIRECTFET L8

Mouser

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	IRF7739L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 下载数据手册晶体管	+1：￥82.582809 +10：￥63.512481 +100：￥45.768785 +500：￥38.140654 +1000：￥37.643167	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），270A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 毫欧 160A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IRF7739L1TRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥33.602187	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF7739L1TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	46A（Ta），270A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 毫欧 160A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	330 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11880 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DirectFET™ 等距 L8
封装/外壳:	DirectFET™ 等距 L8
温度:	-55°C # 175°C（TJ）