搜索 IXTP3N50D2 共 2 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +1： ￥46.048222 +10： ￥41.407886 +100： ￥33.922979 +500： ￥28.877798 +1000： ￥24.354775 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP3N50D2 授权代理品牌 | +1： ￥55.374276 +10： ￥51.292634 +50： ￥43.537515 +100： ￥40.81642 +500： ￥34.693957 |
IXTP3N50D2参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | IXYS |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Depletion |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.5 欧姆 1.5A，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 40 nC 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1070 pF 25 V |
| FET 功能: | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |