IAUS165N08S5N029ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUS165N08S5N029ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.899427	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 165A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 108µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6370 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOG-8-1 封装/外壳： 8-PowerSMD，鸥翼温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IAUS165N08S5N029ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1800：￥22.0282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 165A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 108µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6370 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOG-8-1 封装/外壳： 8-PowerSMD，鸥翼温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUS165N08S5N029ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥62.112459 +10：￥40.877954 +100：￥28.80733 +500：￥23.658423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSMD, Gull Wing 供应商器件封装： PG-HSOG-8-1
IAUS165N08S5N029ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥62.112459 +10：￥40.877954 +100：￥28.80733 +500：￥23.658423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSMD, Gull Wing 供应商器件封装： PG-HSOG-8-1

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUS165N08S5N029ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 下载数据手册未分类	+1：￥48.09039 +10：￥38.80397 +100：￥28.522576 +250：￥28.356747 +500：￥25.040169	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 165A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 108µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 90 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6370 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOG-8-1 封装/外壳： 8-PowerSMD，鸥翼温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUS165N08S5N029ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R 下载数据手册未分类	+1：￥48.816243 +10：￥45.146815 +25：￥41.334608 +50：￥40.920548 +100：￥38.022127	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R 下载数据手册未分类	+1800：￥21.916489	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 165 A, PG HSOG-8 (TOLG), 贴片安装, 8引脚, IAUS165N08S5N029ATMA1 下载数据手册未分类	+450：￥26.113361 +900：￥25.328367	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 165 A, PG HSOG-8 (TOLG), 贴片安装, 8引脚, IAUS165N08S5N029ATMA1 下载数据手册未分类	+5：￥26.917982 +450：￥26.113361 +900：￥25.328367	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUS165N08S5N029ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	165A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.9 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 108µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	90 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6370 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	167W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOG-8-1
封装/外壳:	8-PowerSMD，鸥翼
温度:	-55°C # 175°C（TJ）