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	IRF6717MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET 下载数据手册	+1：￥21.319104 +10：￥18.478014 +30：￥16.795214	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A (Ta), 200A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25mOhm 38A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6750 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 96W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)

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	IRF6717MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.043502	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A (Ta), 200A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25mOhm 38A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6750 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 96W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	IRF6717MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥12.978142	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A (Ta), 200A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25mOhm 38A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6750 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 96W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

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IRF6717MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥22.426186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A (Ta), 200A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25mOhm 38A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6750 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 96W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)
IRF6717MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.662842 +10：￥35.65949 +100：￥28.661035 +500：￥23.547619 +1000：￥22.426186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX
IRF6717MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX

Mouser

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	IRF6717MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET 下载数据手册晶体管	+1：￥42.7685 +10：￥37.224434 +25：￥35.640417 +100：￥30.096351 +500：￥26.769913	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A (Ta), 200A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.25mOhm 38A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6750 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 96W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6717MTRPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com 下载数据手册未分类	+5：￥16.360969	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF6717MTRPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com 下载数据手册未分类	+13：￥23.243794 +50：￥21.455307 +100：￥17.998935 +200：￥17.045325 +500：￥15.614907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6717MTRPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥20.766922 +10：￥18.078347 +50：￥16.687705 +100：￥13.999131 +200：￥13.257454	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF6717MTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	38A (Ta), 200A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.25mOhm 38A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	69 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6750 pF 13 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W (Ta), 96W (Tc)
工作温度:	-40°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MX
封装/外壳:	DirectFET™ Isometric MX
温度:	-40°C # 150°C (TJ)