IPB015N04NGATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB015N04NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.375168 +10：￥28.250112 +30：￥23.54176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPB015N04NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.803355 +10：￥30.563574 +30：￥27.973811	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB015N04NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.451196	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB015N04NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+844：￥53.676293 +1688：￥51.198975 +2532：￥49.547392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB015N04NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB015N04NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥12.513544 +2000：￥11.78283 +5000：￥11.304428	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPB015N04NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥30.611443 +2000：￥28.823924 +5000：￥27.653627	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB015N04NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.150614 +10：￥49.720806 +100：￥40.219561 +500：￥35.750688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB015N04NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.150614 +10：￥49.720806 +100：￥40.219561 +500：￥35.750688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

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	IPB015N04NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管	+1：￥67.618039 +10：￥56.838351 +25：￥55.205065 +100：￥46.058664 +250：￥44.588706	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 250 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20000 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPB015N04NGATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	250 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	20000 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	250W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）