IRLI3705NPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLI3705NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥67.111319 +10：￥44.74096 +30：￥37.284093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 58W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLI3705NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.463122 +200：￥3.665516 +500：￥3.539481 +1000：￥3.476463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 58W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLI3705NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.43504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 58W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLI3705NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.847355 +10：￥12.420176 +100：￥9.98336 +500：￥8.20241 +1000：￥6.835341	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 58W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRLI3705NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.8743 +10：￥30.38304 +100：￥24.421943 +500：￥20.065267 +1000：￥16.721055	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 58W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IRLI3705NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP 下载数据手册未分类	+1：￥36.353324 +10：￥30.673117 +100：￥25.134915 +500：￥20.87476 +1000：￥18.602677	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 58W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IRLI3705NPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 55V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube 下载数据手册未分类	+2000：￥11.67649 +2500：￥11.559411 +3000：￥11.443763 +4000：￥11.329539 +5000：￥11.299555	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLI3705NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	58W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）