品牌： International Rectifier

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.9mOhm 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1350 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 55W (Tc)

工作温度： -55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA)

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度： -55°C ~ 175°C (TJ)

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件,管件

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Digi-Key 停止提供

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 58A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.9 毫欧 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1350 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 55W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D-Pak

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 58A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8.9mOhm @ 25A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 55W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.35V @ 25µA

Supplier Device Package： TO-252AA

Part Status： Active

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 16 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1350 pF @ 15 V