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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI1310NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.443304 +10：￥12.295536 +30：￥10.24628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFI1310NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.959095 +10：￥9.707234 +30：￥8.922168 +100：￥8.26441 +500：￥7.84005	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFI1310NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.21752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFI1310NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFI1310NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.800686 +150：￥1.76943 +250：￥1.722431 +14050：￥1.644175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFI1310NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFI1310NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.967224 +1000：￥2.794159 +3000：￥2.670525 +10000：￥2.596321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFI1310NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.779265	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFI1310NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.145229	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI1310NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI1310NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.296306 +10：￥11.061259 +100：￥8.889634 +500：￥7.303898 +1000：￥6.051788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI1310NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.433107 +50：￥11.883979 +100：￥11.796778 +500：￥11.365663 +1000：￥11.120273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFI1310NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	36 毫欧 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	120 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	56W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFI1310NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFI1310NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.800686 +150：￥1.76943 +250：￥1.722431 +14050：￥1.644175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFI1310NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFI1310NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.967224 +1000：￥2.794159 +3000：￥2.670525 +10000：￥2.596321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFI1310NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.779265	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFI1310NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.145229	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 120 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 56W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）