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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.236279 +10：￥2.987334 +30：￥2.937545 +100：￥2.788178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRF530PBF ITO-220AB-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.602188 +10：￥5.141048 +20：￥3.773748 +50：￥2.7346 +100：￥2.59787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.312012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册未分类	+1000：￥6.767143	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册未分类	+100：￥7.852838 +250：￥7.501523 +500：￥7.351451 +2000：￥6.87829 +3000：￥6.508937	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册未分类	+50：￥6.269109 +200：￥6.211572 +750：￥6.154148 +2000：￥6.09661 +5000：￥6.039073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF530PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF530PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.119843 +1000：￥1.996209 +3000：￥1.907882 +14000：￥1.854863	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥11.47026 +100：￥8.908452 +500：￥7.359637 +1000：￥6.462948	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF530PBF SIGNETICS 授权代理品牌	IRF530PBF SIGNETICS 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRF530PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	160mOhm 8.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	670 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	88W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册未分类	+1000：￥6.767143	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册未分类	+100：￥7.852838 +250：￥7.501523 +500：￥7.351451 +2000：￥6.87829 +3000：￥6.508937	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册未分类	+50：￥6.269109 +200：￥6.211572 +750：￥6.154148 +2000：￥6.09661 +5000：￥6.039073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF530PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF530PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.119843 +1000：￥1.996209 +3000：￥1.907882 +14000：￥1.854863	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥11.47026 +100：￥8.908452 +500：￥7.359637 +1000：￥6.462948	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRF530PBF SIGNETICS 授权代理品牌	IRF530PBF SIGNETICS 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF530PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 8.4A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)