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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5053TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.094423 +10：￥15.396282 +30：￥12.830235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFH5053TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥10.219331 +200：￥3.959597 +500：￥3.812556 +1000：￥3.749539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH5053TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.0793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5053TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥10.012168 +10：￥9.792094 +30：￥9.581508 +100：￥9.379774 +500：￥8.910748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5053TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH5053TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.967401 +150：￥6.699477 +5000：￥5.895493 +10000：￥5.788302 +20000：￥5.359539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5053TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 下载数据手册未分类	+10：￥28.279087 +100：￥22.739864 +500：￥18.673708 +1000：￥17.783723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5053TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥6.440311	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5053TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥15.754707	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5053TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.982636 +10：￥29.643653 +100：￥23.82215 +500：￥19.57187 +1000：￥16.2166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6) Single Die
IRFH5053TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.982636 +10：￥29.643653 +100：￥23.82215 +500：￥19.57187 +1000：￥16.2166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6) Single Die

IRFH5053TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.3A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 9.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1510 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），8.3W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（5x6）单芯片焊盘
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5053TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥10.012168 +10：￥9.792094 +30：￥9.581508 +100：￥9.379774 +500：￥8.910748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5053TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH5053TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.967401 +150：￥6.699477 +5000：￥5.895493 +10000：￥5.788302 +20000：￥5.359539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5053TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN 下载数据手册未分类	+10：￥28.279087 +100：￥22.739864 +500：￥18.673708 +1000：￥17.783723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1510 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），8.3W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）