IPB014N06NATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB014N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.706661 +10：￥30.471067 +30：￥25.392576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 106 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPB014N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.583262 +10：￥39.152408 +30：￥35.830518	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 106 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB014N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.322907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 106 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB014N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥13.18722 +2000：￥12.527878	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 106 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB014N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥32.259434 +2000：￥30.646509	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 106 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB014N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥61.087624 +10：￥54.846351 +100：￥44.933195 +500：￥38.250395	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7
IPB014N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥61.087624 +10：￥54.846351 +100：￥44.933195 +500：￥38.250395	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 供应商器件封装： PG-TO263-7

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB014N06NATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥62.974326 +10：￥56.553951 +100：￥46.445273 +500：￥39.478482 +1000：￥33.331313	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 143µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 106 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB014N06NATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥26.271148	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB014N06NATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	34A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 143µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	106 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7800 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），214W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-7
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）