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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.653469 +200：￥5.846089 +500：￥5.649399 +1000：￥5.56198	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ20PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFZ20PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.761851 +1000：￥1.701035 +3000：￥1.640325 +14000：￥1.594793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFZ20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥15.278671 +100：￥12.283826 +500：￥10.092492 +1000：￥8.363692 +2000：￥7.779381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.663073 +50：￥8.564255 +100：￥7.046369 +500：￥5.962232 +1000：￥5.058842	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.084703 +50：￥20.950436 +100：￥17.237286 +500：￥14.585198 +1000：￥12.375268	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ20PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥28.352115 +10：￥23.626761 +100：￥19.716125 +250：￥19.390239 +500：￥16.783148	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ20PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 50V 15A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+0：￥12.290933 +1：￥5.972727	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ20PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+78：￥10.346845 +100：￥9.884806 +250：￥9.48783 +500：￥9.145544 +1000：￥8.847574	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ20PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 7 下载数据手册未分类	+85：￥8.589246	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFZ20PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	850 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	40W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）