IRLS3036TRL7PP厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLS3036TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.942707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 180A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 160 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11270 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLS3036TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 下载数据手册未分类	+1：￥21.185521 +200：￥8.205736 +500：￥7.913446 +1000：￥7.772715	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 180A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 160 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11270 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLS3036TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥14.17364 +1600：￥11.953649 +2400：￥11.356005	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 180A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 160 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11270 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLS3036TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥34.672477 +1600：￥29.241793 +2400：￥27.779797	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 180A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 160 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11270 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLS3036TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥55.353667 +10：￥49.717918 +100：￥40.729401	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)
IRLS3036TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥55.353667 +10：￥49.717918 +100：￥40.729401	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

Mouser

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	IRLS3036TRL7PP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.9 毫欧 180A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 160 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11270 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 380W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRLS3036TRL7PP参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	240A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.9 毫欧 180A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	160 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11270 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	380W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK（7-Lead）
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）