IRL7472L1TRPBF厂家价格_数据手册

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	IRL7472L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥52.421798 +10：￥34.947946 +30：￥29.123248	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.59 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20082 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRL7472L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥56.909222 +10：￥50.735315 +30：￥46.965406	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.59 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20082 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRL7472L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.3799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.59 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20082 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRL7472L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥36.663113	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.59 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20082 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRL7472L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥12.855653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.59 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20082 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL7472L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥31.448334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.59 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20082 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRL7472L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.3849 +10：￥47.670548 +100：￥35.304662 +500：￥31.448182	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric L8 供应商器件封装： DIRECTFET L8
IRL7472L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.3849 +10：￥47.670548 +100：￥35.304662 +500：￥31.448182	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric L8 供应商器件封装： DIRECTFET L8
IRL7472L1TRPBF International 授权代理品牌	IRL7472L1 - 12V-300V N-CHANNEL P 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 375A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 0.59mOhm @ 195A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： DirectFET™ Isometric L8 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 330 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 20082 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL7472L1TRPbF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥76.944884 +10：￥64.528778 +25：￥62.605155 +100：￥52.287547 +250：￥50.713674	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 375A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.59 毫欧 195A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 330 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20082 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），341W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRL7472L1TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	375A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.59 毫欧 195A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	330 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	20082 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），341W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DirectFET™ 等距 L8
封装/外壳:	DirectFET™ 等距 L8
温度:	-55°C # 175°C（TJ）