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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD038N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.179161 +10：￥12.11936 +30：￥10.099507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD038N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.461158 +10：￥18.729341 +30：￥17.101178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD038N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.554904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD038N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.041515 +10：￥9.931815 +100：￥7.984847 +500：￥6.560214 +1000：￥5.435644	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD038N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.010471 +10：￥24.295851 +100：￥19.53305 +500：￥16.048021 +1000：￥13.297026	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
	IPD038N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥12.37989 +5000：￥11.961295	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPD038N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.010471 +10：￥24.295851 +100：￥19.53305 +500：￥16.048021 +1000：￥13.297026	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

IPD038N06N3GATMA1参数规格

属性	参数值
系列:	OptiMOS™
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装:	PG-TO252-3