IRF7769L1TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7769L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥31.823	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），124A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 74A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7769L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.097772 +10：￥34.519246 +30：￥31.787428 +100：￥29.033756 +500：￥27.755266	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），124A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 74A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7769L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.4154	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），124A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 74A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7769L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥13.362968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），124A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 74A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7769L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥32.689359	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），124A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 74A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF7769L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥70.526708 +10：￥49.169814 +100：￥36.481126 +500：￥32.689513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric L8 供应商器件封装： DIRECTFET L8
IRF7769L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥70.526708 +10：￥49.169814 +100：￥36.481126 +500：￥32.689513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric L8 供应商器件封装： DIRECTFET L8

Mouser

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	IRF7769L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥69.648388 +10：￥60.030276 +25：￥58.371981 +100：￥50.080507 +250：￥49.914678	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta），124A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.5 毫欧 74A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11560 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DirectFET™ 等距 L8 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L8 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥33.834459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥47.48303 +10：￥43.988876 +25：￥42.850157 +100：￥39.480797 +250：￥39.059627	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF7769L1TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Ta），124A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.5 毫欧 74A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	300 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11560 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.3W（Ta），125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DirectFET™ 等距 L8
封装/外壳:	DirectFET™ 等距 L8
温度:	-55°C # 175°C（TJ）