IRFIZ24NPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFIZ24NPBF 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.132 +10：￥9.4622 +30：￥7.7924 +100：￥6.9575 +500：￥6.4009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ24NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	"IRFIZ24NPBF" 下载数据手册	+1：￥3.522188 +10：￥2.928084 +30：￥2.631032 +100：￥2.408243 +500：￥2.196063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： - 漏源电压(Vdss)： - 连续漏极电流(Id)： - 功率(Pd)： - 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： - 阈值电压(Vgs(th)@Id)： - 栅极电荷(Qg@Vgs)： - 输入电容(Ciss@Vds)： - 反向传输电容(Crss@Vds)： -
	IRFIZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP 下载数据手册	+1：￥10.471083 +200：￥4.052638 +500：￥3.914721 +1000：￥3.840458	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.978359	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.965245 +10：￥5.339763 +25：￥5.068721 +100：￥3.800962 +250：￥3.764475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.592571 +10：￥13.062475 +25：￥12.399434 +100：￥9.298158 +250：￥9.208904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP 下载数据手册未分类	+1：￥20.164734 +10：￥15.336559 +100：￥12.553257 +500：￥10.877596 +1000：￥9.145133	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 29W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ24NPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥17.938069 +10：￥13.775003 +100：￥11.33752 +500：￥9.856975 +1000：￥8.198454	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFIZ24NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	370 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	29W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）