 | IRFBG30PBF | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB 未分类 | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| IRFBG30PBF | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB 未分类 | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| IRFBG30PBF | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB 未分类 | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| IRFBG30PBF | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB 未分类 | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| IRFBG30PBF | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB 未分类 | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
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| IRFBG30PBF | | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| IRFBG30PBF | | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
