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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL540PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.73456 +10：￥13.82304 +50：￥11.5192	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 17A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL540PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥12.041852 +10：￥10.413688 +50：￥9.397452	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 17A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL540PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRL540PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.374513 +1000：￥3.233932 +3000：￥3.09324 +7000：￥2.868287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL540PBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRL540PBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.940315 +100：￥1.822217 +150：￥1.771682 +12950：￥1.720929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL540PBF 授权代理品牌	IRL540PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥4.179605 +20：￥4.035481 +200：￥3.893093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL540PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 17A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL540PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.122457 +50：￥11.339984 +100：￥9.330159 +500：￥7.894921 +1000：￥6.698771	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 17A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL540PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.547273 +50：￥27.740603 +100：￥22.824042 +500：￥19.313068 +1000：￥16.38697	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 17A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL540PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥30.843354 +10：￥24.315661 +100：￥20.562235 +250：￥19.909466 +500：￥18.277542	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 17A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 5 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL540PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥23.690537 +10：￥20.885079 +100：￥18.625127 +250：￥18.422511	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL540PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	77 毫欧 17A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	64 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）