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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ44NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.973721 +10：￥7.325451 +30：￥7.195797 +100：￥6.806835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 25A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRLZ44NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.79132 +10：￥7.32292 +20：￥5.67732 +50：￥4.114 +100：￥3.9083	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 25A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营现货库存

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	IRLZ44NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥4.742435 +10：￥3.879181 +50：￥3.44209 +100：￥3.015927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 25A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRLZ44NPBF Tokmas(托克马斯) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥3.420236 +10：￥2.830163 +50：￥2.403999 +100：￥2.108963 +500：￥1.934127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ44NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 25A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ44NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.399916 +100：￥14.922327 +500：￥12.327723 +2500：￥9.087832 +10000：￥8.308107	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 25A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ44NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥21.442781 +10：￥19.312704 +100：￥15.052547 +500：￥12.397052 +1000：￥10.877596	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22mOhm 25A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 48 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W (Ta), 110W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ44NPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1：￥13.879576 +10：￥11.804993 +100：￥8.829472 +500：￥7.574443 +1000：￥5.928196	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLZ44NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	47A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22mOhm 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	48 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W (Ta), 110W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)