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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL60HS118 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥5.813308 +10：￥4.818926 +30：￥4.316272 +100：￥3.813617 +500：￥3.518581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 11.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL60HS118 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.878776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 11.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL60HS118 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.188752 +8000：￥3.029311 +12000：￥2.915415	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 11.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL60HS118 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.47452 +8000：￥4.239013 +12000：￥3.925002 +28000：￥3.88625	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 11.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRL60HS118 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.713075 +10：￥10.205329 +100：￥7.065228 +500：￥5.903392 +1000：￥5.024039	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2)
IRL60HS118 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.713075 +10：￥10.205329 +100：￥7.065228 +500：￥5.903392 +1000：￥5.024039	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2)
IRL60HS118 International 授权代理品牌	IRL60HS118 - 12V-300V N-CHANNEL 下载数据手册未分类	+1：￥11.83759	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 17mOhm @ 11A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.3V @ 10µA Supplier Device Package： 6-PQFN (2x2) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 660 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL60HS118 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥13.783284 +10：￥11.280113 +100：￥8.9829 +500：￥7.509515 +1000：￥6.400515	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 11.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL60HS118 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥520.30426	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRL60HS118 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥7.599818 +10：￥7.005712 +25：￥4.431246	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL60HS118参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	11.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-PQFN（2x2）
封装/外壳:	6-VDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 175°C（TJ）