 | IRFS7530TRL7PP | MOSFET N CH 60V 240A D2PAK 未分类 | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 354 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12960 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRFS7530TRL7PP | MOSFET N CH 60V 240A D2PAK 未分类 | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 354 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12960 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRFS7530TRL7PP | MOSFET N CH 60V 240A D2PAK 未分类 | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 354 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12960 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRFS7530TRL7PP | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 354 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12960 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRFS7530TRL7PP | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 354 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12960 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRFS7530TRL7PP | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 354 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12960 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRFS7530TRL7PP | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 354 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12960 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
