![IRLMS1902TRPBF_未分类]() | IRLMS1902TRPBF | IRLMS1902TRPBF UDU SEMICONDUTOR 未分类 | | | 暂无参数 |
 | IRLMS1902TRPBF | MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6 未分类 | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 最后售卖 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6） 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
![IRLMS1902TRPBF_未分类]() | IRLMS1902TRPBF | IRLMS1902TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体 未分类 | | | 暂无参数 |
| IRLMS1902TRPBF | MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6 未分类 | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 最后售卖 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6） 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| IRLMS1902TRPBF | MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6 未分类 | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 最后售卖 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6） 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| IRLMS1902TRPBF | MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6 未分类 | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 最后售卖 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6） 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| IRLMS1902TRPBF | MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6 未分类 | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 最后售卖 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6） 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| IRLMS1902TRPBF | MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6 未分类 | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： 最后售卖 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： Micro6™（TSOP-6） 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
