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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDB30E120ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2 下载数据手册二极管整流器	+1：￥11.998142 +10：￥10.380907 +30：￥9.375598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 50A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.15 V 30 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 243 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDB30E120ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2 下载数据手册二极管整流器	+1：￥7.1148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 50A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.15 V 30 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 243 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDB30E120ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 50A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.15 V 30 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 243 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDB30E120ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2 下载数据手册二极管整流器	+1000：￥13.830671 +2000：￥13.139296 +5000：￥12.645231 +10000：￥12.226605	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 50A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.15 V 30 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 243 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	IDB30E120ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2 下载数据手册二极管整流器	+1：￥29.14668 +10：￥24.203174 +100：￥19.263955 +500：￥16.300424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3
	IDB30E120ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2 下载数据手册二极管整流器	+1：￥29.14668 +10：￥24.203174 +100：￥19.263955 +500：￥16.300424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDB30E120ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2 下载数据手册未分类	+1：￥33.277377 +10：￥27.731146 +100：￥22.021792 +500：￥18.759304 +1000：￥15.790442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 50A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.15 V 30 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 243 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDB30E120ATMA1 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥14.344223 +2000：￥13.891922 +5000：￥13.555209	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IDB30E120ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥28.895093 +10：￥24.381746 +25：￥24.165192 +100：￥19.499164 +250：￥19.316884	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDB30E120ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R 下载数据手册未分类	+16：￥17.821562 +50：￥14.416973 +100：￥13.507956 +500：￥11.919622 +1000：￥11.19223	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IDB30E120ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1200 V
电流 - 平均整流 (Io):	50A（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	2.15 V 30 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	243 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	100 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: