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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.353817 +10：￥3.09582 +30：￥3.044223 +100：￥2.889432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 600mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.58804 +200：￥7.170823 +800：￥5.559466 +2500：￥4.028574 +12500：￥3.625765	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 600mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营现货库存

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	IRFD9120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.725889 +10：￥4.753362 +30：￥4.261635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 600mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRFD9120PbF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	P沟道 100V 1A 下载数据手册未分类	+1：￥7.113653 +10：￥5.999071 +30：￥5.452708 +100：￥4.906344 +500：￥4.578526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 100V 连续漏极电流(Id)： 1A 功率(Pd)： 1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 600mΩ@10V,600mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250μA

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9120PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册	+1：￥6.341731	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.744251 +100：￥4.767563 +1250：￥4.337158 +2500：￥4.022631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 600mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.819264 +10：￥7.312397 +100：￥5.822467 +500：￥4.92664 +1000：￥4.180157	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 600mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.574258 +10：￥17.888061 +100：￥14.243297 +500：￥12.051867 +1000：￥10.225769	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 600mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP 下载数据手册晶体管	+1：￥22.866004 +10：￥17.47616 +100：￥15.156895 +250：￥14.683242 +500：￥13.474609	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 600mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP (0.300#, 7.62mm) 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD9120PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP 下载数据手册未分类	+1：￥11.058258	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFD9120PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600mOhm 600mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	390 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W (Ta)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	4-HVMDIP
封装/外壳:	4-DIP (0.300#, 7.62mm)
温度:	-55°C # 175°C (TJ)