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IRFP3006PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFP3006PBF
授权代理品牌
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¥23.312707

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 170A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 300 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8970 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 现货库存
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IRFP3006PBF_null
IRFP3006PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 257A TO247

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¥54.933401

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¥21.260437

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¥20.517806

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 170A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 300 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8970 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IRFP3006PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥20.881938

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 170A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 300 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8970 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 170A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 300 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8970 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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¥64.521808

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 170A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

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功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

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Mouser
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MOSFET N-CH 60V 257A TO247

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货期:7~10 天

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 170A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 300 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8970 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 375W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IRFP3006PBF_未分类
IRFP3006PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

未分类

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¥84.511121

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¥76.472644

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¥65.47863

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¥57.782819

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货期:7~10 天

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IRFP3006PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 170A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 300 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8970 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 375W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AC
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)