IRF7831TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥28.507842 +300：￥19.278688 +1000：￥14.151434 +4000：￥10.254629 +8000：￥9.741952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6240 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.330416 +10：￥10.817997 +30：￥9.872735 +100：￥8.895965	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6240 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.98036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6240 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7831TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7831TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.822561 +300：￥1.746673 +8000：￥1.67068 +12000：￥1.640325 +24000：￥1.5188	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A 8SO 下载数据手册未分类	+10：￥12.554643 +100：￥9.692301 +500：￥7.672797 +1000：￥6.063652 +2000：￥5.893163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6240 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A 8SO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6240 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.152159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6240 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥7.711016	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.6 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6240 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.187956 +10：￥16.247002 +100：￥12.667775 +500：￥10.464861 +1000：￥8.261676	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
IRF7831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.187956 +10：￥16.247002 +100：￥12.667775 +500：￥10.464861 +1000：￥8.261676	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

IRF7831TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	21A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.6 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6240 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）