IPA60R099P6XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA60R099P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.54872 +200：￥31.2906 +500：￥25.03248 +1000：￥20.8604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPA60R099P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.150175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPA60R099P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP 下载数据手册未分类	+10：￥69.845161 +100：￥57.227284 +500：￥48.682936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA60R099P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.83823 +10：￥35.77118 +100：￥29.307732 +500：￥24.948942 +1000：￥21.0413	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA60R099P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥97.454866 +10：￥87.505784 +100：￥71.694478 +500：￥61.031721 +1000：￥51.472594	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPA60R099P6XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP 下载数据手册未分类	+1：￥109.68549 +10：￥98.604731 +100：￥80.791359 +500：￥68.728759 +1000：￥60.312994	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 14.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.21mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA60R099P6XKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥68.008111 +10：￥62.234132 +100：￥55.352173 +500：￥51.528863 +1000：￥46.831653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA60R099P6XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P6
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	37.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	99 毫欧 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.21mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	70 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3330 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	34W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）