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	IDH10G65C5XKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTKY 650V 10A TO220-2-1 下载数据手册未分类	+1：￥39.621871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V 电流 - 平均整流 (Io)： 10A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 10 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 180 µA 650 V 不同 Vr、F 时电容： 300pF 1V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-2 供应商器件封装： PG-TO220-2-1 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDH10G65C5XKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTKY 650V 10A TO220-2-1 下载数据手册二极管整流器	+1：￥29.021085 +10：￥26.065922 +100：￥21.358352 +500：￥18.182162 +1000：￥16.667759	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V 电流 - 平均整流 (Io)： 10A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 10 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 180 µA 650 V 不同 Vr、F 时电容： 300pF 1V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-2 供应商器件封装： PG-TO220-2-1 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDH10G65C5XKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTKY 650V 10A TO220-2-1 下载数据手册二极管整流器	+1：￥70.993264 +10：￥63.76415 +100：￥52.248186 +500：￥44.478383 +1000：￥40.773754	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V 电流 - 平均整流 (Io)： 10A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 10 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 180 µA 650 V 不同 Vr、F 时电容： 300pF 1V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-2 供应商器件封装： PG-TO220-2-1 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：
	IDH10G65C5XKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1 下载数据手册未分类	+1：￥42.291261 +50：￥33.478677 +100：￥28.695192 +500：￥28.066252	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-2 Mounting Type： Through Hole Speed： No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F： 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 10A Supplier Device Package： PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 180 µA @ 650 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDH10G65C5XKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTKY 650V 10A TO220-2-1 下载数据手册未分类	+1：￥48.345264 +10：￥38.382219 +100：￥32.829048 +500：￥32.012405	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V 电流 - 平均整流 (Io)： 10A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 10 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 180 µA 650 V 不同 Vr、F 时电容： 300pF 1V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-2 供应商器件封装： PG-TO220-2-1 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDH10G65C5XKSA2 授权代理品牌	Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥36.226928	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IDH10G65C5XKSA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™+
零件状态:	在售
二极管类型:	碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	650 V
电流 - 平均整流 (Io):	10A（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.7 V 10 A
速度:	无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	180 µA 650 V
不同 Vr、F 时电容:	300pF 1V，1MHz
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-220-2
供应商器件封装:	PG-TO220-2-1
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: