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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDH09G65C5XKSA2_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2-1

二极管整流器

+1:

¥23.797917

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 9A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 9 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 160 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 270pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2-1

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Digi-Key
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IDH09G65C5XKSA2_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2-1

二极管整流器

+1:

¥65.454033

+10:

¥58.851959

+100:

¥48.214973

+500:

¥43.001317

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 9A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 9 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 160 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 270pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2-1

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDH09G65C5XKSA2_二极管与整流器
IDH09G65C5XKSA2
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO220-2-1

二极管与整流器

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 9A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 9 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 160 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 270pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2-1

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

IDH09G65C5XKSA2参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolSiC™+
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 9A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 9 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 160 µA 650 V
不同 Vr、F 时电容: 270pF 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: PG-TO220-2-1
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
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