IRFS3206TRRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3206TRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.621608 +10：￥12.192768 +50：￥11.049696 +150：￥10.287648 +300：￥9.811368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFS3206TRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥21.402238 +100：￥14.473415 +400：￥10.624163 +800：￥7.698625 +1600：￥7.313724	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFS3206TRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.882942 +10：￥13.014379 +30：￥11.856088 +100：￥10.665016 +500：￥9.00407	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFS3206TRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.73942	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFS3206TRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥10.941794 +1600：￥9.368909 +2400：￥8.821838 +5600：￥8.463673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS3206TRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥26.766526 +1600：￥22.918835 +2400：￥21.580552 +5600：￥20.704385	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS3206TRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.357473 +10：￥37.226047 +100：￥30.111735	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
IRFS3206TRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.357473 +10：￥37.226047 +100：￥30.111735	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3206TRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥52.399908 +10：￥47.145717 +100：￥38.625406 +500：￥32.803195 +800：￥28.82705	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6540 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3206TRRPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥26.164896 +1600：￥25.927596	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFS3206TRRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	170 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6540 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）