 | IPD60R400CEAUMA1 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.7A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 112W（Tc） 工作温度： -40°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ） |
| IPD60R400CEAUMA1 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.7A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 112W（Tc） 工作温度： -40°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ） |
| IPD60R400CEAUMA1 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.7A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 112W（Tc） 工作温度： -40°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ） |
| IPD60R400CEAUMA1 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.7A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 112W（Tc） 工作温度： -40°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ） |
| IPD60R400CEAUMA1 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.7A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 112W（Tc） 工作温度： -40°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ） |
| IPD60R400CEAUMA1 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14.7A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 300µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 700 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 112W（Tc） 工作温度： -40°C # 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO252-2 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ） |
