IXFP14N85XM厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP14N85XM Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥62.820875 +200：￥25.067157 +500：￥24.225758 +1000：￥23.821449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP14N85XM IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220 下载数据手册未分类	+1000：￥29.981522	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1043 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFP14N85XM Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXFP14N85XM LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+10：￥44.318979 +500：￥43.220161 +2500：￥42.121343	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP14N85XM IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.153144 +50：￥28.871118 +100：￥25.831685 +500：￥22.792718 +1000：￥20.513493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1043 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP14N85XM IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥88.440169 +50：￥70.626405 +100：￥63.191145 +500：￥55.757026 +1000：￥50.18144	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1043 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP14N85XM IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥101.100401 +10：￥94.893914 +50：￥78.561055 +100：￥72.19124 +250：￥68.108024	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1043 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP14N85XM 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220 下载数据手册未分类	+300：￥47.259558 +4000：￥42.539108	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFP14N85XM参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	850 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	550 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	30 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1043 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	38W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）