IPA105N15N3GXKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA105N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.311887	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5mOhm 37A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4300 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40.5W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IPA105N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP 下载数据手册未分类	+1：￥29.66367	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5mOhm 37A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4300 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40.5W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IPA105N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP 下载数据手册未分类	+1：￥17.510225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5mOhm 37A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4300 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40.5W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

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	IPA105N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥72.053342 +10：￥64.668566 +100：￥52.982673 +500：￥45.103735 +1000：￥38.039335	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5mOhm 37A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4300 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40.5W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

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	IPA105N15N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP 下载数据手册未分类	+1：￥81.725318 +10：￥68.675368 +25：￥64.760383 +100：￥55.462292 +250：￥52.362928	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10.5mOhm 37A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 55 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4300 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40.5W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 Full Pack 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA105N15N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 37A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥58.357726 +10：￥52.631576 +100：￥46.995702 +500：￥35.71106 +1000：￥35.362847	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPA105N15N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 37A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥25.329187 +1000：￥25.084149 +2500：￥24.826215	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA105N15N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	37A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	8V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10.5mOhm 37A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 160µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	55 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4300 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	40.5W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 Full Pack
温度:	-55°C # 175°C (TJ)