IPN60R2K1CEATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.849801 +10：￥3.23312 +30：￥2.694307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.901345 +10：￥1.857636 +30：￥1.824854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.158156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 下载数据手册未分类	+71：￥5.89238 +100：￥4.405906 +500：￥3.46844 +1000：￥2.691741 +3000：￥2.437236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.091078 +6000：￥1.03565 +9000：￥0.961651 +30000：￥0.939456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.669065 +6000：￥2.533475 +9000：￥2.352453 +30000：￥2.298158	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.858173 +10：￥6.772318 +100：￥4.704904 +500：￥3.673341 +1000：￥2.985821	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-223-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.858173 +10：￥6.772318 +100：￥4.704904 +500：￥3.673341 +1000：￥2.985821	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-223-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN60R2K1CEATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥8.983073 +10：￥7.741776 +100：￥5.781834 +500：￥4.540536 +1000：￥3.511564	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 800mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能：超级结功率耗散（最大值）： 5W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN60R2K1CEATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥2.779139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPN60R2K1CEATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.1 欧姆 800mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	140 pF 100 V
FET 功能:	超级结
功率耗散（最大值）:	5W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）