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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥102.366 +200：￥85.305 +500：￥68.244 +1000：￥56.87	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 230µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 182 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥105.054774 +200：￥40.660372 +500：￥39.228899 +1000：￥38.518627	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 230µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 182 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.42398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 230µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 182 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥67.437489 +10：￥60.594567 +100：￥49.65156 +500：￥42.437449	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 230µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 182 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPP048N12N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥45.932101 +1000：￥45.675098 +2000：￥45.418096 +2500：￥45.161093 +3000：￥44.90409	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP048N12N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.8 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 230µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	182 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12000 pF 60 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-1
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）