IRFU3410PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU3410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.519014 +10：￥8.941174 +30：￥7.363334 +75：￥6.574414 +525：￥6.048427	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W (Ta), 110W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： IPAK (TO-251AA) 封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU3410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥6.337817 +10：￥5.201381 +30：￥4.633162 +75：￥4.075872 +525：￥3.737126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W (Ta), 110W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： IPAK (TO-251AA) 封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU3410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.539315	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W (Ta), 110W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： IPAK (TO-251AA) 封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 温度： -55°C # 175°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU3410PBF 授权代理品牌	IRFU3410PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥3.444281 +20：￥3.355955 +50：￥3.238224 +4000：￥3.208821	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU3410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.859222 +75：￥12.679806 +150：￥10.04889 +525：￥8.517547 +1050：￥6.938482	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W (Ta), 110W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： IPAK (TO-251AA) 封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRFU3410PBF International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A IPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 39mOhm @ 18A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： IPAK (TO-251AA) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1690 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU3410PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 31A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥18.129474 +10：￥14.503581 +100：￥11.498335 +500：￥9.750717 +1000：￥7.480451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39mOhm 18A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1690 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W (Ta), 110W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： IPAK (TO-251AA) 封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU3410PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+3000：￥4.881081 +4000：￥4.832082 +5000：￥4.784339 +6000：￥4.736596 +8000：￥4.688853	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFU3410PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	31A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	39mOhm 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1690 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W (Ta), 110W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	IPAK (TO-251AA)
封装/外壳:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
温度:	-55°C # 175°C (TJ)