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IRFB3607PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

IRFB3607PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFB3607PBF
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系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

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系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

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工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

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IRFB3607PBF_未分类
IRFB3607PBF
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IRFB3607PBF VBSEMI/台湾微碧半导体

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IRFB3607PBF
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MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB

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工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

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系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

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自营 国内现货
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工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

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封装/外壳: TO-220-3

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IRFB3607PBF
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IRFB3607 - 12V-300V N-CHANNEL PO

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Packaging: Bulk

Part Status: Active

IRFB3607PBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220AB