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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDM02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO252-2 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-2 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDM02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO252-2 下载数据手册二极管整流器	+1：￥14.2296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-2 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDM02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO252-2 下载数据手册二极管整流器	+2500：￥7.729998 +5000：￥7.416126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-2 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDM02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO252-2 下载数据手册二极管整流器	+2500：￥11.329711 +5000：￥10.978608	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-2 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：
	IDM02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO252-2 下载数据手册二极管整流器	+1：￥38.399575 +10：￥24.722594 +100：￥16.908052 +500：￥14.033745 +1000：￥12.491796	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： CoolSiC™+ 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-2
	IDM02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO252-2 下载数据手册二极管整流器	+1：￥38.399575 +10：￥24.722594 +100：￥16.908052 +500：￥14.033745 +1000：￥12.491796	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： CoolSiC™+ 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-2

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDM02G120C5XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO252-2 下载数据手册未分类	+1：￥33.994932 +10：￥24.542682 +100：￥17.246209 +500：￥15.223097 +1000：￥13.548225	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态：在售二极管类型：碳化硅肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.65 V 2 A 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 18 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： 182pF 1V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-2 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥10.662619	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDM02G120C5XTMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥16.95877 +10：￥12.835477 +25：￥12.707171 +100：￥9.652124 +250：￥8.942551	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IDM02G120C5XTMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 11 下载数据手册未分类	+2500：￥7.455366	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IDM02G120C5XTMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™+
零件状态:	在售
二极管类型:	碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1200 V
电流 - 平均整流 (Io):	2A（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.65 V 2 A
速度:	无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	18 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容:	182pF 1V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装:	PG-TO252-2
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: