IRFZ44ZSTRRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.826381 +10：￥11.217547 +30：￥9.347976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 31A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.003142 +10：￥12.992524 +30：￥11.724961	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 31A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.903059	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 31A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营国内现货

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	IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥5.992708 +1600：￥5.084727 +2400：￥4.830464 +5600：￥4.648857	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 31A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥14.65975 +1600：￥12.438589 +2400：￥11.816595 +5600：￥11.372335	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 31A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.267347 +10：￥21.770492 +100：￥17.32503	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.267347 +10：￥21.770492 +100：￥17.32503	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥30.027392 +10：￥24.96843 +100：￥19.909466 +250：￥18.440735 +500：￥16.64562	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.9mOhm 31A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ44ZSTRRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥27.074231 +10：￥23.141915 +25：￥22.908126 +100：￥18.201191 +250：￥16.720532	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFZ44ZSTRRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	51A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.9mOhm 31A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	43 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1420 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	80W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C (TJ)