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IRFZ44ZSTRRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFZ44ZSTRRPBF
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¥16.826381

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¥11.217547

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¥9.347976

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 51A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.9mOhm 31A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 80W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

自营 现货库存
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IRFZ44ZSTRRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 51A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.9mOhm 31A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 80W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

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IRFZ44ZSTRRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 51A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.9mOhm 31A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 80W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

自营 国内现货
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IRFZ44ZSTRRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.992708

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 51A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.9mOhm 31A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 80W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key
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¥14.65975

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¥12.438589

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+5600:

¥11.372335

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 51A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.9mOhm 31A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 80W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

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¥26.267347

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¥21.770492

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¥17.32503

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

IRFZ44ZSTRRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

Mouser
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IRFZ44ZSTRRPBF_未分类
IRFZ44ZSTRRPBF
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MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

未分类

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¥30.027392

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¥19.909466

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¥18.440735

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¥16.64562

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 51A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.9mOhm 31A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 80W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

温度: -55°C # 175°C (TJ)

艾睿
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IRFZ44ZSTRRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

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¥27.074231

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¥23.141915

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¥22.908126

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¥18.201191

+250:

¥16.720532

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货期:7~10 天

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IRFZ44ZSTRRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 51A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.9mOhm 31A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1420 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 80W (Tc)
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度: -55°C # 175°C (TJ)