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	IRF135SA204 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥57.543004 +10：￥50.83366 +30：￥46.746861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 135 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 96A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11690 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）变型温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF135SA204 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.595491	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 135 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 96A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11690 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）变型温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF135SA204 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥28.487415 +300：￥28.356719 +500：￥28.226023 +1000：￥28.095328 +5000：￥27.703355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 135 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 96A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11690 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）变型温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF135SA204 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 135 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 96A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11690 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）变型温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF135SA204 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥29.926245 +1600：￥26.933657 +2400：￥25.237792	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 135 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 96A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11690 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）变型温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF135SA204 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥51.038482 +1600：￥45.934696 +2400：￥43.042438	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 135 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 96A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11690 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）变型温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF135SA204 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥91.386188 +10：￥82.567184 +100：￥68.360893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Variant 供应商器件封装： D2PAK-7
IRF135SA204 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥91.386188 +10：￥82.567184 +100：￥68.360893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Variant 供应商器件封装： D2PAK-7

Mouser

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	IRF135SA204 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7 下载数据手册未分类	+1：￥102.978559 +10：￥98.225703 +25：￥91.730132 +100：￥84.600848 +250：￥82.224419	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 135 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 160A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.9 毫欧 96A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 315 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11690 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK-7 封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）变型温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF135SA204 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥39.670331	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF135SA204参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	135 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.9 毫欧 96A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	315 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11690 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK-7
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）变型
温度:	-55°C # 175°C（TJ）