IRFD014PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFD014PBF 共 18 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD014PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.419926 +10：￥4.502035 +30：￥4.054017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD014PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.059364 +50：￥2.917068 +100：￥2.834062	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD014PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP 下载数据手册未分类	+11：￥14.899036 +100：￥11.615388 +500：￥9.60538 +1000：￥7.579955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD014PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD014PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.70862 +10：￥6.323387 +100：￥4.917289 +500：￥4.167987 +1000：￥3.395271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD014PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.857327 +10：￥15.468681 +100：￥12.02899 +500：￥10.196001 +1000：￥8.305732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD014PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP 下载数据手册未分类	+1：￥21.556664 +10：￥17.66674 +100：￥10.664875 +500：￥9.757227 +1000：￥8.946825	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD014PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP 下载数据手册未分类	+1：￥13.075871 +10：￥11.862195 +100：￥8.812407 +500：￥8.300729 +1000：￥8.26329	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD014PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI 下载数据手册未分类	+100：￥6.699757 +500：￥6.564602 +1000：￥6.439103	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD014PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP 下载数据手册未分类	+12：￥6.978884 +100：￥5.090069 +500：￥4.861539	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFD014PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	310 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	4-HVMDIP
封装/外壳:	4-DIP（0.300，7.62mm）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）