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	IDW12G65C5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 下载数据手册二极管整流器	+1：￥44.456852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Active 二极管类型： Silicon Carbide Schottky 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V 电流 - 平均整流 (Io)： 12A (DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 12 A 速度： No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 190 µA 650 V 不同 Vr、F 时电容： 360pF 1V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDW12G65C5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 下载数据手册二极管整流器	+1：￥35.283233 +10：￥31.669547 +100：￥25.947973 +500：￥22.088784 +1000：￥19.192088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Active 二极管类型： Silicon Carbide Schottky 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V 电流 - 平均整流 (Io)： 12A (DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 12 A 速度： No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 190 µA 650 V 不同 Vr、F 时电容： 360pF 1V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDW12G65C5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 下载数据手册二极管整流器	+1：￥86.312137 +10：￥77.472104 +100：￥63.475617 +500：￥54.035018 +1000：￥46.948931	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Active 二极管类型： Silicon Carbide Schottky 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V 电流 - 平均整流 (Io)： 12A (DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 12 A 速度： No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 190 µA 650 V 不同 Vr、F 时电容： 360pF 1V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDW12G65C5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥112.605841 +10：￥101.24648 +25：￥95.813742 +100：￥82.972725 +240：￥78.692386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolSiC™+ 零件状态： Active 二极管类型： Silicon Carbide Schottky 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V 电流 - 平均整流 (Io)： 12A (DC) 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 12 A 速度： No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 0 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 190 µA 650 V 不同 Vr、F 时电容： 360pF 1V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IDW12G65C5XKSA1 授权代理品牌	5th Generation thinQ SiC Schottky Diode 下载数据手册未分类	+240：￥53.813293 +250：￥53.646388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IDW12G65C5XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™+
零件状态:	Active
二极管类型:	Silicon Carbide Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	650 V
电流 - 平均整流 (Io):	12A (DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.7 V 12 A
速度:	No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr):	0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	190 µA 650 V
不同 Vr、F 时电容:	360pF 1V, 1MHz
安装类型:	Through Hole
封装/外壳:	TO-247-3
供应商器件封装:	PG-TO247-3
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: