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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDH12G65C5XKSA2_二极管整流器
IDH12G65C5XKSA2
授权代理品牌

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-1

二极管整流器

+1:

¥53.368787

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 12A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 12 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 190 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 360pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2-1

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDH12G65C5XKSA2_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-1

二极管整流器

+1:

¥28.718987

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 12A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 12 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 190 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 360pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2-1

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Digi-Key
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IDH12G65C5XKSA2_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-1

二极管整流器

+1:

¥91.004506

+10:

¥81.764691

+100:

¥66.98935

+500:

¥57.026797

+1000:

¥52.277002

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 12A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 12 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 190 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 360pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2-1

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Mouser
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IDH12G65C5XKSA2_未分类
IDH12G65C5XKSA2
授权代理品牌

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-1

未分类

+1:

¥92.729376

+10:

¥83.357035

+100:

¥68.304486

+500:

¥58.080115

+1000:

¥53.251939

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io): 12A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 12 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 190 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容: 360pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: PG-TO220-2-1

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDH12G65C5XKSA2_未分类
IDH12G65C5XKSA2
授权代理品牌

Rectifier Diode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

未分类

+500:

¥37.039423

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IDH12G65C5XKSA2参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolSiC™+
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 12A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V 12 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 190 µA 650 V
不同 Vr、F 时电容: 360pF 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: PG-TO220-2-1
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
温度: