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	HAT2165H-EL-E Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.546134	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK 封装/外壳： SC-100，SOT-669 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	HAT2165H-EL-E Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK 封装/外壳： SC-100，SOT-669 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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HAT2165H-EL-E Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK 封装/外壳： SC-100，SOT-669 温度： 150°C（TJ）
HAT2165H-EL-E Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-100, SOT-669 供应商器件封装： LFPAK
HAT2165H-EL-E Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-100, SOT-669 供应商器件封装： LFPAK

Mouser

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	HAT2165H-EL-E Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 27.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LFPAK 封装/外壳： SC-100，SOT-669 温度： 150°C（TJ）

艾睿

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	HAT2165H-EL-E 授权代理品牌	MOSFET 下载数据手册未分类	+2500：￥15.774422 +5000：￥14.581324 +10000：￥13.934371	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

HAT2165H-EL-E参数规格

属性	参数值
品牌:	Renesas Electronics America Inc
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	55A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 毫欧 27.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5180 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	30W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LFPAK
封装/外壳:	SC-100，SOT-669
温度:	150°C（TJ）