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HN2A01FE-GR(TE85LF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
晶体管类型: | 2 PNP(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 150mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 300mV 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 200 2mA,6V |
功率 - 最大值: | 100mW |
频率 - 跃迁: | 800MHz |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装: | ES6 |
温度: | 150°C(TJ) |