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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HN2A01FE-GR(TE85LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: 2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 100mW

频率 - 跃迁: 800MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度: 150°C(TJ)

HN2A01FE-GR(TE85LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: ES6

HN2A01FE-GR(TE85LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: ES6

HN2A01FE-GR(TE85LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V
功率 - 最大值: 100mW
频率 - 跃迁: 800MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: ES6
温度: 150°C(TJ)