搜索 HN1C01FYTE85LF 共 4 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +3000： ￥0.858553 +6000： ￥0.786299 +15000： ￥0.680043 +30000： ￥0.667292 +75000： ￥0.552535 | |||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥4.533614 +10： ￥3.40021 +25： ￥2.975184 +100： ￥1.6151 +250： ￥1.6066 | 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 125°C (TJ) 封装/外壳： SC-74, SOT-457 供应商器件封装： SM6 | ||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 125°C (TJ) 封装/外壳： SC-74, SOT-457 供应商器件封装： SM6 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| HN1C01FYTE85LF 授权代理品牌 | +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ |
HN1C01FYTE85LF参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 2 NPN（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 150mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 250mV 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 120 2mA，6V |
| 功率 - 最大值: | 300mW |
| 频率 - 跃迁: | 80MHz |
| 工作温度: | 125°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SC-74，SOT-457 |
| 供应商器件封装: | SM6 |
| 温度: | 125°C（TJ） |