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搜索 HN1B04FU-Y,LF7 条相关记录
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HN1B04FU-Y,LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

双极晶体管预偏置

+1:

¥0.509894

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA, 100mA, 300mV 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 2mA,6V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度: 125°C(TJ)

Digi-Key
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HN1B04FU-Y,LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

双极晶体管预偏置

+3000:

¥0.661825

+6000:

¥0.5755

+15000:

¥0.489175

+30000:

¥0.4604

+75000:

¥0.431625

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA, 100mA, 300mV 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 2mA,6V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度: 125°C(TJ)

HN1B04FU-Y,LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

双极晶体管预偏置

+1:

¥3.800468

+10:

¥3.094667

+100:

¥1.63963

+500:

¥1.079062

+1000:

¥0.733763

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 125°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: US6

HN1B04FU-Y,LF_双极晶体管预偏置
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X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

双极晶体管预偏置

+1:

¥3.800468

+10:

¥3.094667

+100:

¥1.63963

+500:

¥1.079062

+1000:

¥0.733763

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 125°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: US6

Mouser
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HN1B04FU-Y,LF_未分类
HN1B04FU-Y,LF
授权代理品牌

X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

未分类

+1:

¥3.927358

+10:

¥3.197992

+100:

¥1.697179

+500:

¥1.122102

+1000:

¥0.771445

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA, 100mA, 300mV 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 2mA,6V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度: 125°C(TJ)

艾睿
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HN1B04FU-Y,LF_未分类
HN1B04FU-Y,LF
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R

未分类

+3000:

¥0.432199

+9000:

¥0.386969

+24000:

¥0.365611

+45000:

¥0.335457

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
HN1B04FU-Y,LF_未分类
HN1B04FU-Y,LF
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R

未分类

+1:

¥3.28672

+10:

¥2.64973

+100:

¥1.389569

+500:

¥0.904602

+1000:

¥0.60935

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

HN1B04FU-Y,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA, 100mA, 300mV 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 2mA,6V
功率 - 最大值: 200mW
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: US6
温度: 125°C(TJ)