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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HFA3102BZ_晶体管射频

RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC

晶体管射频

+50:

¥36.646264

+100:

¥30.389585

+250:

¥28.601962

+500:

¥26.814339

+1250:

¥24.132905

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 6 NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 10GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.8dB # 2.1dB 500MHz # 1GHz

增益: 12.4dB # 17.5dB

功率 - 最大值: 250mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 10mA,3V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 14-SOIC

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HFA3102BZ_晶体管射频

RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC

晶体管射频

+50:

¥63.324622

+100:

¥52.5131

+250:

¥49.424095

+500:

¥46.335089

+1250:

¥41.70158

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 6 NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 10GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.8dB # 2.1dB 500MHz # 1GHz

增益: 12.4dB # 17.5dB

功率 - 最大值: 250mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 10mA,3V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 14-SOIC

温度: 150°C(TJ)

HFA3102BZ_晶体管射频

RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC

晶体管射频

+1:

¥73.518341

+10:

¥66.413627

+25:

¥63.327092

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 14-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 14-SOIC

HFA3102BZ_晶体管射频

RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC

晶体管射频

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 14-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 14-SOIC

Mouser
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HFA3102BZ_未分类
HFA3102BZ

RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC

未分类

+1:

¥123.537697

+10:

¥111.700935

+25:

¥106.530856

+100:

¥92.517218

+250:

¥88.299522

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 6 NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 10GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.8dB # 2.1dB 500MHz # 1GHz

增益: 12.4dB # 17.5dB

功率 - 最大值: 250mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 10mA,3V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 14-SOIC

温度: 150°C(TJ)

HFA3102BZ参数规格

属性 参数值
品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 6 NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
频率 - 跃迁: 10GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.8dB # 2.1dB 500MHz # 1GHz
增益: 12.4dB # 17.5dB
功率 - 最大值: 250mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 10mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 14-SOIC
温度: 150°C(TJ)