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搜索 HN1A01FE-Y,LF7 条相关记录
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HN1A01FE-Y,LF_双极晶体管预偏置
HN1A01FE-Y,LF
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 2mA, 6V

功率 - 最大值: 100mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度: 150°C (TJ)

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HN1A01FE-Y,LF_双极晶体管预偏置
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品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 2mA, 6V

功率 - 最大值: 100mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: ES6

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零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA, 100mA

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 2mA, 6V

功率 - 最大值: 100mW

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封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: ES6

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Digi-Key
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HN1A01FE-Y,LF_双极晶体管预偏置
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Mouser
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HN1A01FE-Y,LF_晶体管
HN1A01FE-Y,LF
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TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

晶体管

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品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

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零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA, 100mA

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HN1A01FE-Y,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
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系列:
零件状态: Active
晶体管类型: 2 PNP (Dual)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 2mA, 6V
功率 - 最大值: 100mW
频率 - 跃迁: 80MHz
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SOT-563, SOT-666
供应商器件封装: ES6
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